创耀科技称星闪芯片本身已回片验证，该芯片有哪些优势？

全球首款3nm芯片，正式发布

美国芯片公司Marvell表示，公司基于台积电3纳米（3nm）工艺打造的数据中心芯片正式发布。据Marvell介绍，公司在该节点中的业界首创硅构建模块包括112G XSR SerDes（串行器/解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen6/ CXL3.0SerDes和240Tbps并行芯片到芯片互连。

按照Marvell所说，SerDes和并行互连在芯片中充当高速通道，用于在chiplet内部的芯片或硅组件之间交换数据。与2.5D和3D封装一起，这些技术将消除系统级瓶颈，以推进最复杂的半导体设计。SerDes还有助于减少引脚、走线和电路板空间，从而降低成本。超大规模数据中心的机架可能包含数以万计的SerDes链路。

根据他们提供的数据，新的并行芯片到芯片互连可实现高达240Tbps的聚合数据传输，比多芯片封装应用的可用替代方案快45%。换句话说，互连传输速率相当于每秒下载10000部高清电影，尽管距离只有几毫米或更短。

Marvell将其SerDes和互连技术整合到其旗舰硅解决方案中，包括Teralynx开关，PAM4和相干DSP，Alaska以太网物理层（PHY）设备，OCTEON处理器，Bravera存储控制器，Brightlane汽车以太网芯片组和定制ASIC。而转向3nm工艺使工程师能够降低芯片和计算系统的成本和功耗，同时保持信号完整性和性能。

3nm，台积电的新里程碑

据台积电介绍，公司的3奈米（N3）制程技术将是5奈米（N5）制程技术之后的另一个全世代制程，在N3制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及电晶体技术。相较于N5制程技术，N3制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。

不过，N3的工艺窗口（产生定义结果的参数范围）相对较窄，就产量而言可能并不适合所有应用。而且，随着制造工艺变得越来越复杂，它们的寻路、研究和开发时间也越来越长，所以我们不再看到台积电和其他代工厂每两年出现一个全新的节点。

对于N3，台积电的新节点导入周期将延长至2.5年左右。这意味着台积电将需要提供N3的增强版本，以满足其客户的需求，这些客户仍在寻求每瓦性能的改进以及每年左右晶体管密度的提升。

在2022年技术研讨会上，台积电也讨论了四种N3衍生制造工艺（总共五个3纳米级节点）——N3E、N3P、N3S和 N3X——这都将在未来几年推出。这些N3变体旨在为超高性能应用提供改进的工艺窗口、更高的性能、更高的晶体管密度和增强的电压。

其中N3E提高了性能，降低了功耗，并增加了工艺窗口，从而提高了亮了。但代价是该节点的逻辑密度略有降低。与N5相比，N3E的功耗将降低34%（在相同的速度和复杂度下）或18%的性能提升（在相同的功率和复杂度下），并将逻辑晶体管密度提高1.6倍。

根据报道，台积电将在2024年左右的某个时候推出N3P（其制造工艺的性能增强版本）以及N3S（该节点的密度增强版本）。但台积电目前并未透露这些变体的更多信息。对于那些无论功耗和成本都需要超高性能的客户，台积电将提供N3X，本质上是N4X的思想继承者。同样，台积电没有透露有关该节点的详细信息，只是说它将支持高驱动电流和电压。

值得一提的是，台积电所有这些技术都将支持FinFlex，这是台积电的一项“秘方”功能，可大大提高设计灵活性，并允许芯片设计人员精确优化性能、功耗和成本。简而言之，FinFlex允许芯片设计人员精确定制他们的构建模块，以实现更高的性能、更高的密度和更低的功耗。

在实际应用中，台积电的FinFlex技术将允许芯片设计人员在一个块内混合和匹配不同类型的标准单元，以精确定制性能、功耗和面积。对于像CPU核心这样的复杂结构，这种优化提供了很多机会来提高核心性能，同时仍然优化芯片尺寸。

但是，我们必须强调的是，FinFlex不能替代节点专业化（性能、密度、电压），因为工艺技术比单一工艺技术中的库或晶体管结构有更大的差异，但FinFlex看起来是优化性能、功率和成本的好方法台积电的N3节点。最终，这项技术将使基于FinFET的节点的灵活性更接近于基于纳米片/GAAFET的节点，这些节点将提供可调节的通道宽度以获得更高的性能或降低功耗。

三星3nm，起了个大早

其实早在台积电公布3nm量产之前，三星早就宣布已经实现了3nm工艺的量产。

2022年六月，三星宣布已开始了采用环栅（GAA）晶体管架构的3纳米（nm）工艺节点的初始生产。其中用到的多桥通道FET（MBCFET）是三星首次采用的GAA技术，该工艺突破了FinFET的性能限制，通过降低电源电压水平提高功率效率，同时还通过增加驱动电流能力提高性能。

该公司也正在开始将纳米片晶体管与半导体芯片一起用于高性能、低功耗计算应用，并计划扩展到移动处理器。

三星表示，借助公司专有技术利用具有更宽通道的纳米片，与使用具有更窄通道的纳米线的GAA技术相比，可实现更高的性能和更高的能效。利用3nm GAA技术，三星将能够调整纳米片的通道宽度，以优化功耗和性能，以满足各种客户需求。

此外，GAA的设计灵活性非常有利于设计技术协同优化（DTCO），这有助于提高功率、性能、面积（PPA）优势。与5nm工艺相比，第一代3nm工艺相比5nm功耗最高可降低45%，性能提升23%，面积减少16%，而第二代3nm工艺则功耗最高可降低50%，性能提高30%，面积减少35%。

如上所述，和台积电的工艺不一样，三星3nm采用了GAA晶体管，这开启了一个新时代。

自2019年他们最初宣布该技术以来，三星一直致力于3nm/GAAFET技术的研发。三星特有的GAA晶体管技术是多桥通道FET（MBCFET），这是一种基于纳米片的实现。基于纳米片的FET高度可定制，纳米片的宽度是定义功率和性能特征的关键指标：宽度越大，性能越好（在更高功率下）。

因此，专注于低功耗的晶体管设计可以使用更小的纳米片，而需要更高性能的逻辑可以使用更宽的纳米片。

在三星3nm被发布早期，业内人士一直在诟病其良率，但据业内人士透露，三星电子公司周一大幅提高了其为无晶圆厂客户生产的业界最先进的3纳米芯片的良率。知情人士表示，三星的第一代3纳米工艺节点的生产良率达到了“完美水平”，但他没有进一步详细说明。

而在此前，台湾媒体报道称，台积电的3纳米工艺生产良率高达85%，高于三星。但韩国业内消息人士淡化了这份报告，称这个数字似乎被夸大了。他们表示，考虑到台积电向苹果提供业界最小芯片的量产和交付时间表，其生产良率最多为50%。

按照媒体所说，因为在第一代3nm上折戟，三星正在大力投入到第二代工艺的研发中。

报告披露，三星第二代3nm GAA工艺将会在2024年量产，工艺将加入MBCFET架构，性能也将提升不少。虽然三星并没有分享4nm节点的统计差异，但与该公司5nm工艺相比，第二代3nm GAA仍有望降低多达50%的功耗、提升30%性能、以及减少35%的晶片面积占用。

巨头会师2纳米，决战

虽然三星和台积电都在3nm上花了不少心思，但从过去的新闻和厂商的公告可以看到，似乎大家都对第一代的3nm工艺不感兴趣。例如市场上一度传言，苹果会成为台积电第一代3nm工艺的唯一客户。不过，这家美国巨头迄今都没有公布其3nm产品。

由此可见，第一代3nm不被看好是业界共识了。但市场对工艺的追逐从目前看来，尚未停止。除了这两家晶圆代工厂以外，据报道，英特尔也将在2023年年底推出其3nm工艺节点。而他们似乎也把目光定在了2nm。

届时，英特尔的Intel20A（2nm）将迎来Angstrom时代，利用GAA（RibbonFET）晶体管和PowerVia技术提高功率保持能力。英特尔的竞争对手台积电将在2025年采用其2nm节点的GAA，在芯片制造商遇到小型化极限时让前者领先一步。再加上将于2025年实现2纳米原型线的日本新创企业Rapidus和三星。

对芯片公司而言，如何面对芯片设计挑战和成本挑战，会是未来他们未来多年的头等大事。

AI芯片有哪些优势

AI芯片有哪些优势？
AI芯片的优势
随着人工智能技术的不断发展，AI芯片逐渐成为了一个热门领域。AI芯片是专门用来处理人工智能相关任务的芯片，其优势主要体现在以下方面。
一、高性能
AI芯片相比于传统的处理器，其处理速度和运算效率更高，能够更快地完成大量浮点运算。基于高性能的优势，AI芯片在处理机器学习、深度学习等大量数据运算领域具有明显优势。
二、大数据处理
人工智能技术离不开数据处理，而AI芯片能够更快地处理更大的数据集。AI芯片针对大数据的处理优化，通过并行计算能够更快地完成大量数据的处理和计算。
三、能耗低
传统处理器在处理人工智能相关任务的时候容易出现众所周知的“过于热门”姿态，不仅耗电，还不太环保。而采用AI芯片技术，其能耗低且散热性好。这使得AI芯片可以在各种设备中得到广泛应用，例如智能手机、智能音箱等。
四、客户定制
AI芯片在客户定制方面具有很大优势。不同的应用场景需要不同性能、功耗、面积、接口等不同的要求。AI芯片能够满足这些要求，设计师可以根据具体应用场景的需求，量身定制AI芯片，以达到最佳效果。
总之，AI芯片具备高性能、大数据处理、能耗低、客户定制等诸多优势，在推动人工智能的发展方面发挥了重要作用。相信在未来，随着人工智能技术的不断发展，AI芯片的应用范围会越来越广泛。

芯片是哪位科学家发明的，从事芯片研究的科学家获得过诺贝尔奖吗？

答：芯片这个称呼给人狭义的感觉，以为只是处理器，其实称呼集成电路更靠谱，发明者正是2000年诺贝尔物理学奖获得者，美国工程师——杰克·基尔比。

没错！不是我们一贯认为的科学家，而是工程师，是大名鼎鼎的德州仪器的工程师，从事的正是集成电路的研究。 和半导体相关诺贝尔奖很多，但无疑集成电路的发明，是最耀眼的。

1947年，杰克·基尔比毕业于美国伊利诺斯大学，并在一家生产电器元件的公司上班，同时对电子技术方面产生了浓厚的兴趣。

杰克·基尔比一边工作，一边继续完成他的硕士学业。 待学业完成后，杰克·基尔比转职于德州仪器工作，在这里，他得以全身心地投入他的爱好，并产生天才的想法——把电子设备的所有元器件放在一块材料上制造，并相互连接形成电路。

这就是集成电路的最初想法。

杰克·基尔比一点没耽误，立马着手研究，当天就把整个构想勾勒出来，并选用硅作为材料。

当他把想法告诉他的主管后，受到了高度重视；1958年，杰克·基尔比便申请了此项专利，从此，电子技术进入集成电路时代。

而CPU，代表着集成电路设计和制造的巅峰之作，其高端芯片的核心技术，掌握在少数几个大公司手里。

四十二年后的2000年，七十七岁的杰克·基尔比，因发明集成电路被授予诺贝尔物理学奖，5年后，杰克·基尔比去世。

欧美发达国家的芯片技术有没有可能被中国超越？芯片是谁发明的？

毫不夸张地说，芯片改变了所有人的生活，芯片的本质是集成电路，全世界第一个发明现代集成电路的科学家就是美国科学家，他的名字叫做杰克·基尔比。但是，这位科学家的发明时间是1958年，最后获得诺贝尔物理学奖的时间，却是42年之后的2020年。

实际上，同时期研发出近代实用集成电路人，还有另一位名叫罗伯特·诺伊斯的科学家，只不过他早在1990年的时候就已经去世。客观来说，目前我国的芯片技术还无法和欧美发达国家相比，这也是为什么华为会因为台积电断供而变得举步维艰，至于未来能不能超越，这个问题的答案大概也只有交给时间了。

杰克·基尔比这个人有多厉害？

杰克·基尔比出生于1923年11月8号，1947年的时候，也就是他才24岁左右的时候，便已经拿到了伊利诺伊大学的学士学位，而专业就是电子工程学。距离杰克·基尔比获得威斯康星大学相关硕士学位才短短8年时间，这个厉害的任务就研制出了全世界第一块集成电路。

大家可以真切地感受到，如今我们使用的电脑和移动电话等设备，其实都离不开芯片的应用，只不过杰克·基尔比这个后来改变全人类的研究成果，并没有在当时引起太大的轰动，所以诺贝尔物理学奖也是在时间过去四十多年之后才颁给他。
不过，迟来的褒奖刚好印证了杰克·基尔比对如今半导体产业发展作出的重大贡献，大家早已习惯的数字生活、乃至信息化时代的到来都离不开集成电路的诞生。而在芯片研发出来之前，真空管不仅笨重，而且还很不稳定，电路系统扩张还会带来元件变得更大等问题，这不仅意味着成本越来越大，实际应用的时候也遭遇了越来越明显的弊端。

小小芯片为什么有如此大的能力，就连华为都被限制？

芯片也有不同的分类，而且分类的方式还不止一种，比如，倘若按照点数属于数字活模拟来进行区分，那么集成电路就可以被划分为：数字集成电路、模拟集成电路和混合信号集成电路。当然，不同的集成电路功能也存在差异，正如数字集成电路能够涵盖所有东西，而模拟集成电路则主要是完成混频、滤波、解调和放大等功能

总有信口开河地说，如今我国实力强大，小小芯片怎么可能制造不出来？然而，芯片制造并不像很多人想象的那么简单，所有半导体元件产品加起来被统称为芯片，之所以集成电路的性能更高，这与其自身尺寸小路径更短有关。

集成电路也就开发出个半个世纪左右，但如今的应用方向却很广泛，涵盖了制造、交流、计算和交通系统，包括现在人人都离不开的互联网也对集成电路有绝对性的依赖。芯片制造对于我们来说，目前还是很难的一个问题，尤其是光刻工艺。

麒麟9000芯片为什么可能成为华为旗下该手机的最后一带芯片？从本质上来说就是因为我们无法自主进行该芯片的制造，谁叫我们集成电路产业最薄弱的一个环保局便是芯片制造呢，这个领域的高 科技 技术又很难在短时间内得到弥补。

而且，芯片行业一直以来的主流趋势本就是分工合作，华为海思也的确拥有比较好的芯片设计能力，但没想到有一天竟然有人利用芯片制造能力作为攻击点，原本稳定的芯片行业格局也因此而打乱。

如今，我们也在为芯片国产化而努力，华为也表示会落地造芯计划，这也是为什么最近芯片人才陆续加入华为，相信我国在不久的将来一定可以大同芯片产业链涉及到的多有关键要素，把关键技术都掌握在我们自己手里，不再受制于他人。

芯片是内含集成电路的硅片。是将具有单个运算能力的晶体管组合连接、形成具备强大处理能力的微电子组合固件。芯片的出现，揭开了二十世纪信息革命的序幕，是现代工业文明的基础。

发明芯片有两位科学家，一位是美国德州公司的仪器工程师杰克·基尔比，另一位是美国物理学家罗伯特·诺伊斯。

杰克·基尔比1958年9月12日集成了人类第一块芯片雏形。就是把一个双极性晶体管、三个电阻、一个电容器等二十余个元器件集成在一块很小的平板上，用纯手工焊接方式把这些极细的导线予以连接，将半导体元件构成微型固体组合件，并命名为集成电路(芯片)，向美国专利局申报了发明专利。

基尔比这项发明是伟大的，奠定了今天半导体产业、信息技术基础，构成了现在人们习以为常的数字生活。电脑、手机等等3C产品可以说皆源于基尔比的发明。

2000年10月10日，已经77岁的基尔比发明集成电路53年后被授予诺贝尔物理学奖。2005年6月20日，基尔比去世，终年82岁。

同时发明芯片的还有一位是美国物理学家罗伯特·诺伊斯博士，也是英特尔主要创始人。

1958年，诺伊斯创始的美国仙童公司于德州仪器公司基尔比间隔数月后亦发明了集成电路，即将电路所有元件嵌入单片半导体中，并申请了更为复杂的硅集成电路专利，成为集成电路的共同发明人。

1959年1月，诺伊斯写出集成电路方案，开始研发利用一氧化膜作为半导体绝缘层制作铝条连线，使导线和元件连成一体。其研发的二氧化硅扩散技术和PN结隔离技术，创造出半导体集成电路的平面制作工艺和半导体器件的连线结构工艺，为工业大批量集成电路生产奠定了基础，开创了世界微电子 历史 。

1966年，基尔比和诺伊斯同时被富兰克林学会授予巴兰丁奖章，奖词称基尔比为“集成电路发明家”，而诺伊斯被称为“提出适合工业生产的集成电路理论”。

集财富、成就、威望三位一体的科学家诺伊斯，1990年6月3日因心脏病英年早逝，享年62岁。而其提出的“负阻二极管”概念和集成电路芯片二次与诺奖擦肩而过、令人扼腕。

很不好意思地告诉大家一个事情，芯片的发明者又是美国人，而且还是两个美国人发明的。一个是一名普通的工程师；另外一个是物理学博士。 我们也许不得不接受一个现实：在发明创造这一块上面，美国人那是当之无愧的“地球冠军”。说一句很多人不爱听的话，人类近代以来几乎绝大部分的发明都是美国人完成的，例如：电灯、空调、互联网、飞机、手机……

很多人不是搞理工类工作的，可能大家对芯片这玩意没有一个基本的概念。我首先来告诉大家一下什么是芯片呢？

芯片应该算是20世纪人类最伟大、最厉害的发明之一了。芯片的原理那是比较简单的，说白了就是：把很多负责运算的晶体管集中在一块硅片上面，这块硅片就叫做芯片了。

不过这块硅片可不是普通的硅片，而是一个无比强大的集成电路了。芯片具有两大特点或者叫做优势：一是，运算能力很强大；二是，体积很小。

举个最直接的例子：电脑上面用的酷睿系列的处理器，说白了就是一个芯片而已。酷睿5系列的一个处理器上面有——14亿个运算单元，想想是不是很恐怖。这样每个基本运算单元的单位也就成为了纳米级别了。

很多人一定听过多少纳米、多少纳米的工艺制程问题的，例如：7纳米制程的 科技 水平一定是优于14纳米制程的芯片的。

简单地解释一下，什么是纳米制程、这个多少纳米到底代表了什么呢？

前面说过了，芯片就是把几十亿或者上百亿个运算单元集中在一块硅片上的。这个最基本的运算单元叫做：晶体管了。上过物理课的人都知道：单个晶体管的主要功能是来进行计算的，也就是个开关量0或者1。

在晶体管结构中，电流从Source（源极）流入Drain（漏级），Gate（栅极）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断用的。

不过这个纳米并不是晶体管的长度单位，而是晶体管栅极的最小宽度（栅长），这个就是工艺制程多少纳米了。

介绍完了芯片以后，我们一起来看看：芯片到底是被谁发明出来的呢？

发明芯片的是两个人：一个是美国德州的仪器工程师——杰克.基尔比；另外一个是物理学博士罗伯特.诺伊斯。

不过这两个人在芯片问世以及大规模生产上面的作用是不一样的。

杰克.基尔比是第一个提出了芯片的设想和概念的人；

罗伯特.诺伊斯是将芯片真正的用于大规模的工业生产上面了。

他们两个人后来获得奖项以后，评委会是这么定义的：杰克.基尔比是第一块集成电路的发明家；罗伯特.诺伊斯是提出了适合工业生产的集成电路理论。

1958年，34岁的杰克.基尔比就职于德州仪器公司。在这一年八月的时候，公司的绝大部分员工都去享受两个星期的长假了。可是刚刚入职不久的杰克.基尔比却没有这种待遇，他一个人孤孤单单地在实验室里面工作着。

在此期间他萌发了一个想法，正是这个想法改变了人类的未来 科技 。他的想法是：既然电阻、电容可以用晶体管一样的材料来制造，那么所有的元器件不就完全都可以用同一块材料来制造。然后把他们连接在一起不就形成了一块集成电路了。

杰克.基尔比本来就是个工程师，动手能力肯定是没有问题、执行力也是杠杠的。经过几个月的研究和制作，人类 历史 上第一块集成电路的样品就被杰克.基尔比给整理出来了。后来这哥们还申请了专利，于是乎，杰克.基尔比就成为了芯片的最早发明者了。

芯片发明或者说工业化的大规模生产的另外一位关键人物是：罗伯特.诺伊斯。这哥们是个物理学博士，而且还是著名的因特尔公司的合伙人之一。

罗伯特.诺伊斯写出来了：打造集成电路的方案并进行了研发。他研究出了二氧化硅的扩散技术以及PN结的隔离技术，并在氧化膜上创造出了铝条连接技术。他把原件和导线合二为一了，创造出了半导体集成电路的平面制作工艺。

这样一来，他为工业大规模的集成电路生产奠定了坚实的基础。

后来罗伯特.诺伊斯和杰克.基尔比为了争夺专利还打了官司。不过最后法院是这样判决的：

1969年，法院将集成电路的发明专利授予了杰克.基尔比；将集成电路关键的内部连接技术专利授予了罗伯特.诺伊斯。这也算是个皆大欢喜的场面了。

2000年10月的时候，瑞典皇家科学院也就是诺贝尔奖的评委会，把诺贝尔物理学奖颁发给了当时已经77岁的杰克.基尔比。此时罗伯特.诺伊斯早已经去世多年了，所以并没有分享到诺贝尔奖项。

按照惯例最后应该总结一下的，可是我也不知道该说些什么了。我只能告诉大家： 科技 才是人类的未来，还是要多把心思用在 科技 上面。为什么发明芯片的不是我们呢？也许对比一下大家在同时间段干的事情就一目了然了……

前阵子中兴公司被美国制裁，芯片成了热门关键词，什么是芯片？芯片是谁发明的？

简单来说，芯片指的是内含集成电路的硅片，比如酷睿的i9系列就是其中一种。最简单的单个电路是晶体管，可以执行0和1的逻辑运算，集成电路就是将许多具有简单运算能力的单个晶体管组合在一起形成的具有强大处理能力的中枢。

现在的晶体管已经在CPU中以纳米大小的量级存在，比如酷睿i5-3337U中就含有14亿个晶体管，那么小的芯片居然集成了那么多的处理单元，完全超乎你的想象。

芯片的发明者有两个人，一个美国 德州的仪器工程师 杰克·基尔比，另一位是美国物理学博士 罗伯特·诺伊斯，两人将电路中的基本原件都组合到半导体 硅片中，运算处理性能超群，可以大量生产成本低廉，因此是 共同研发改良了集成电路（芯片），但由于 罗伯特英年早逝，所以他没能跟 杰克基尔比 共享2000年的诺贝尔物理学奖。

芯片到底有多重要？为什么芯片那么难制造？

芯片的重要程度超乎大家的想象，军事领域中的导弹防御系统和导弹还有雷达中都运用到了芯片，芯片能够提高雷达扫描精度识别敌方战机，还能够提高导弹准心实现精准打击，这一切都是在小小的芯片中进行运算的，芯片可以关乎到一个国家的命脉。

芯片之所以难制造是因为它集成了人类科学和 科技 水平的精华，芯片要提高运算处理能力就需要集成更多的处理单元，现在一块芯片中基本都有10亿个以上纳米级的晶体管，人类用肉眼都无法直接看到， 美国贝尔实验室的物理学家最近研究出一粒沙的100万分之1大小的纳米晶体管， 工艺的精度可以说是匪夷所思。不仅如此，芯片对于材料纯度的要求也高到恐怖，大多数都是在99.99999%以上，精度 越高的 芯片运算能力强因此也就会产生更多的热能，高纯度的硅材料可以避免材料因过热而膨胀导致芯片损坏。

芯片在光学和机械处理上也是非常恐怖的，目前已经发展到了6纳米的精度，芯片内部的线路导向明确无毛糙杂边，对于光学仪器和制造设备的要求非常高。可见制造芯片已经不仅仅是芯片本身那么简单了，制造芯片的设备也是技术上的门槛。再加上国外对于芯片重要性的超前的认识，每年都投入大量的资金研究，已经把芯片做到了极致。

芯片是两个人发明的，但只有一个人拿到了诺奖。

在 历史 上有两个人分别获得了芯片的专利， 但只有一个人获得了诺贝尔奖 。获奖者是美国德州仪器的工程师，杰克·基尔比（Jack Kilby），他发明的芯片在1964年获得专利，这项成就让他在2000年获得诺奖，基尔比在2005年去世。由于基尔比获得了诺奖，因此他也就获得了 芯片之父 的名声。

那为什么罗伯特·诺伊斯没有获得诺奖呢？

这个嘛，到没有啥狗血故事，因为诺伊斯死得太早，在1990年就去世了，而诺奖的惯例是不会发给已经去世的科学家或者工程师。但是，罗伯特·诺伊斯的一生并不缺这个诺奖。因为他有另一个名誉头衔，那就是 硅谷之父或硅谷市长（the Mayor of Silicon Valley） 。 罗伯特·诺伊斯是英特尔的共同创始人之一。

1968年8月，罗伯特·诺伊斯与戈登·摩尔（Gordon Moore）和安迪·葛洛夫（Andrew Grove）辞职创业，他们一起开创了英特尔（Integrated Electronics）王朝，直到今天英特尔依然是芯片业霸主。并且，也是诺伊斯搞出了大办公室的新职场风格，没有墙壁只有隔间。1971年11月，英特尔第一款芯片：Intel 4004问世，也是人类 社会 第一款商业芯片问世。

图示：Intel4004的结构，它内有2,300个晶体管，制程10微米，每秒最快运算速度9万次，成本低于100美元。

这可是1971年的100美元，按购买力计算，相当于现在的600美元，而Intel最新CPU售价算，600美元能买到什么级别的CPU，我查了一下最贵的Intel Core i9-9900K @ 3.60GHz，制程14纳米（1微米=1000纳米，这意味着缩小了接近1000倍，因此也就能容纳更多晶体管），据说能超频到5G，并且拥有八个物理核心，也不到500美元，至于性能上则把Intel4004不知抛下了多远。这就是芯片技术恐怖的进步速度。

欢迎指正

另外AMD粉就别喷了

我也是用AMD的 （^_^）

这里的“芯片”说的不对，准确的说法应该是“集成电路”——而所谓的集成电路的意思就是把好多个简单的电路集成在一个很小的地方，从而让一块小小的芯片获得可怕的计算能力。

一，最简单的电路——晶体管。

有人可能实在不能理解晶体管是什么，其实很简单——利用半导体材料的一些性质把开关做的很小——这就是晶体管。而对于那些对计算机稍微了解一点儿的人也很容易知道，开关实际上就表示0和1，所以晶体管就是计算机的基础。

发明晶体管的人叫威廉·肖克利，这个人大概可以说是芯片业的祖师爷，于1956年因为发明了晶体管而获得诺贝尔物理奖。

我们经常看到的晶体管

二，把晶体管变小、集成到一起。

第一台晶体管计算机（800个晶体管）

但是光有晶体管还不行，因为晶体管的体积还是太大了，那么如何把晶体管的体积做小成为了科学家需要面对的主要问题。这个时候有两个科学家站了出来，提出了把晶体管缩小、变成集成电路的看法，这两个人就是杰克·基尔比和罗伯特·诺伊斯。

把无数个晶体管缩小的集成电路

其中杰克·基尔比是美国德州仪器的工程师，而罗伯特·诺伊斯则比较传奇，他曾经于晶体管之父威廉·肖克利创办的公司任职，但是因为不满于肖克利对公司的经营水平，最终与其他七个小伙伴跳槽、成立了大名鼎鼎的仙童半导体公司——而诺伊斯本人就是“八叛逆”中的其中一个。

三，集成电路中的那些破事儿。

杰克·基尔比和罗伯特·诺伊斯两个人和集成电路之间的事情真的是很有意思的。首先，杰克·基尔比这个人提出集成电路的概念更早一些，但是他首先提出的制造方案不是很现实；诺伊斯虽然提出集成电路的时间比较晚，但是因为路子对了，所以他获得集成电路专利的时间要更加早一些。

这还不算完，因为诺伊斯早在1990年就因为心脏病去世了，所以在2000年诺贝尔奖委员会决定给集成电路的发明者颁发诺贝尔物理奖的时候，只有更长寿的基尔比获得了这项无上的荣誉。

三位芯片发明者

所以，威廉·肖克利、杰克·基尔比和罗伯特·诺伊斯都可以算作是芯片的发明者，除了诺伊斯因为英年早逝没有获得诺贝尔奖之外，剩下的两人都曾经获得过诺贝尔奖。也算是 历史 上的趣话了。

杰克 基尔比—— 集成电路之父 ，（集成电路和芯片只是两种称呼而已，一回事，别去纠结）。

并且杰克 基尔比于 2000年获得诺贝尔物理学奖 ，奖励他对电子产业做出的巨大贡献和影响。虽然这距离他发明集成电路已经过去42年之久。

杰克 基尔比因为对电子技术非常感兴趣，所以大学时候选修了电子管方面的课程，不过比较悲催，在他毕业的后一年，晶体管问世了，这让他在大学学的电子管技术都白费了。

这一过就是十年，1958年，他在德州仪器公司参加工作，可能是轻松的工作制度，让他灵感突现：能否将电容、晶体管等等电子元件都安装到一块半导体上呢？这样整个电路体积将会大大缩减！说干就干，在 1958年9月12日，世界上第一块集成电路成功问世 。我们现在的电脑、手机等等电子产品都离不开集成电路。

从1958到2000年，因为集成电路的出现，电子行业得到了迅猛发展。杰克 基尔比获得诺贝尔奖，实至名归。

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说是科学家但其实算不上是科学家，具体的来说应该是一位工程师！至于诺贝尔奖，则是迟到了整整四十二年才到 ，并且，在获得诺贝尔物理学奖仅仅五年后，这位改变了世界的科学家就去世了。

杰克·基尔比 ，出生于1923年11月8日，并于2005年6月20日逝世，在他的一生中对电子技术的研究占了绝大部分的时间，一边工作一边利用业余时间不断研究，为了方便研究，杰克·基尔比与妻子在取得硕士学位后搬去了德克萨斯州的达拉斯市，并且工作于一家仪器公司，只因为这家公司能够提供给他适宜的实验室和实验器具，并允许他进行自己的实验研究，从那以后，不论严寒或酷暑，杰克·基尔比总会独自一人坐在实验室进行研究， 在同行的怀疑下，他最终成功设计出一个全新的领域–世界上第一块集成电路。

不畏艰辛并且敢想敢做，这种精神在现在已经很少有人拥有了，德州仪器公司也就是大力支持 杰克·基尔比进行研究的公司曾经说过:

假若没有他，可能现在的手机或电脑还处于巨型状态，这个发明是现在我们所能见到的几乎所有的电子产品的必备部件之一，芯片，就相当于一个电子产品的心脏，是人类在 科技 路上发展过程中最重要的里程碑。

曾经没有，后来有，首先你要了解一下诺贝尔奖的初衷就不难了解他有没有资格获得，

实事证明，集成电路给世界人类的 科技 进步提供了很大的便利与速度，所以他后来获得了诺贝尔奖

iPhone15或使用台积电3nm芯片，该芯片有何优势？

精度和性能成为该芯片两大优势。

台积电在芯片领域优势明显，这引起多家手机制造厂商的广泛关注。与此同时，台积电靠技术获得稳定客户，不断地完成芯片加工，并被赋予多项称号。

现阶段，IPhone 14刚上市，关于iPhone 15的消息层出不穷。其中包括iPhone 15或许将会安装来自台积电生产的最高精度手机芯片。网友看到该消息后，并没有太过惊讶，毕竟苹果公司已不是第一次向消费者画饼。

第一个优势：精度

芯片生产领域中，高精度芯片可遇不可求，芯片成功率较低。假如一家芯片生产厂商迟迟无法突破芯片精度壁垒，该生产厂家会逐渐失去芯片供应商优势。以苹果公司为例，该公司从不缺合作伙伴，自然需要精益求精，寻找合作伙伴。台积电与苹果进行合作已有多年，两者信任感爆棚。3纳米芯片展现出高端芯片优势，或将成为iPhone 15的卖点。

第二个优势：性能和技术

从老一代技术过渡到新一代技术，公司和技术人员面临双重挑战。全球范围内，芯片生产厂家屈指可数，而台积电却可以成为芯片行业的集大成者。这来源于台积电严格把控芯片性能和技术，三纳米芯片生产技术十分先进，或将成为该行业中第一个吃螃蟹的公司。

总结，技术、性能、芯片精度是消费者衡量芯片优缺点的依据。某些芯片消耗能量太快，消费者不买账，生产厂家无法获得收益。现如今，无论是与芯片厂家合作的手机生产厂商，还是为手机提供零部件的开发者，他们都在各自领域中，你追我赶，保障公司不被淘汰。

三星将BSPDN技术用于2nm芯片，该芯片都有哪些亮点？

随着芯片精度的提高，芯片的全球进步速度越来越慢，许多人想知道人类是否在芯片研发中遇到了瓶颈？直到几天前，IBM宣布已经开发了2nm芯片，解决了这个难题，也许有一天芯片技术更新会停止，但至少现在不会，在这个领域仍有很多人类进步。尽管该公司是世界上最强大的计算机公司，但事实上，IBM长期以来一直将其研发芯片部门出售，并退出了市场上的竞争芯片。因此，IBM长期以来一直没有能力独立开发2nm芯片。

事实上，尽管IBM已经退出了芯片市场，但该技术芯片并没有停止研究，多年来，IBM一直在技术信息深度的研发芯片中积累。然而，仅IBM一家，远未做到这一点，即使是IBM收购了AMD、三星、ASML，以及其他自己销售的全球公司，IBM最终也创造了2nm芯片。IBM公司的成功证明，旧美国的技术封锁是多么荒谬，在芯片领域，许多公司都有自己的优势，如果它能将每个人的优势结合起来，人类将在芯片领域取得更多成就。芯片领域。为了以牺牲全球芯片事业为代价占领旧美国的主导地位，市场将分裂，这种行为阻碍了美国全球芯片行业的发展古美国将发展成为犯罪历史。

所谓的2nm工艺是将直径限制在2nm的内电路芯片，对科技实力有很高的要求。目前，平版印刷是世界上用于制造芯片的主要技术。在全球范围内，为了将线限制在2nm，激光束对目标芯片的轰击精度必须控制在2nm。目前，全球没有2nm成像机，因此，为了生产2nm芯片，只能通过5nm雕刻多次拍摄机器，可以完成精度的提高。

由于高科技的复杂性和对精度的高要求，每一步都有很高的失败概率。因此，使用当前技术制造2nm芯片并不容易，但最终，IBM坚持下去，最后，他制造了2nm芯片，这是一项惊人的成就。不幸的是，由于技术限制，我们无法生产2nm芯片，因此目前市场上看不到2nm芯片。然而，2nm芯片的出现对我们来说也非常重要。它不仅证明了芯片领域有改进的空间，而且还向我们展示了2nm芯片的强大威力。这样一来，芯片技术领域的人就会更具攻击性。